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メール
zhixuling789@126.com
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電話番号
18810401088
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アドレス
北京市豊台区
製品カテゴリー
北京中科復華科技有限公司
概要
Electron Beam Lithography System（EBL）$r$n$r$n電子ビームリソグラフィーシステム$r$n$r$n$r$n日本CRESTECは世界中の電子ビームリソグラフィー装置を製造するメーカーの1つであり、その製造した電子ビームリソグラフィーはその技術の電子ビーム安定性、電子ビーム位置決め精度及びジョイントソケット精度で世界の科学研究機関及び半導体会社の人気を集めている。中でもCABLシリーズは世界中の製品の1つです。
製品詳細
CRESTEC CABLシリーズに採用された恒温制御システムは、メインシステム全体の温度を一定に維持し、メインシステム内部のセンシング装置を加えることで、電子ビーム電流安定性、電子ビーム位置決め安定性、電子ビーム電流分布均一性が向上し、その性能指標は他のメーカーの同類製品よりはるかに高く、5時間にわたる時間で、電子ビーム電流と電子ビーム位置決めは非常に安定し、電子ビーム電流分布も非常に均一である。
EBL書き込み精度が高いため、Wafer全体を書き込むには比較的に長い時間が必要であるため、電子ビーム電流、電子ビーム位置決め、電子ビーム電流分布の均一性の長時間における安定性は特に重要であり、これは広い範囲でのパターン作成に非常に重要である。
CRESTEC CABLシリーズはその技術を用いて高い電子ビーム安定性と電子ビーム位置決め精度を持たせ、広範囲にわたって図形のつなぎ目とソケットを実現することができる。
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50nm（500μm平方μ+3σ） 20nm（50μm平方μ+2σ） |
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オーバーレイの精度 |
50nm（500μm平方μ+3σ） 20nm（50μm平方μ+2σ） |
傾斜L&Sのための傾傾傾斜L&S <10nm
同図は2インチwafer上に、50 umのパターンを用いてつなぎ合わせ、全体のシートに書かれ、そのつなぎ合わせ精度は10 nm.（実験室データ）未満である。
CRESTEC CABLシリーズはまた、半導体業界においても他の分野においても、10 nm以下のラインを加工して製造することができる
CRESTECの電子ビームリソグラフィー製品はいずれも大きな役割を果たしている。
主な特徴：
1.高輝度と高安定性を採用したTFE電子銃
2電子ビーム偏向制御技術
3.電界サイズ変調技術を用いて、電子ビーム位置決め分解能（address size）は0.0012 nmに達することができる
4.軸対称図形筆記技術を採用し、図形偏角分解能は0.01 mradに達することができる
5.マイクロナノデバイス加工、Si/GaAs互換プロセス、研究用マスク製造、ナノ加工（例えば単電子デバイス製造など）、高周波電子デバイス中のハイブリッドリソグラフィ（Mix&Match）、パターン線幅とパターン変位測定などの応用分野。
ビームリソグラフィケーブル-9000Cシリーズの小さな線幅8nm、ビームスポット直径2nm、ソケット精度
20nm（平均+2σ）、分割精度20nm（平均+2σ）。
技術パラメータ：
1小線幅：10 nm未満（8 nm available）
2.加速電圧：5-50 kV
3.電子ビーム直径：2 nm未満
4.ソケット精度：20 nm（mean+2σ）
5.スプライス精度：20 nm（mean+2σ）
6.加工ウエハサイズ：4-8インチ（standard）、12インチ（option）
7.トレース電子顕微鏡の分解能：2 nm未満
ビームリソグラフィケーブル-UHシリーズのモデルは次のとおりです。
ケーブル-UH90（90keV）、ケーブル-UH110（110keV）、ケーブル-UH130（130keV）
技術パラメータ：
加速電圧：130 keV
単段加速能力は130 keVに達し、電子銃の長さはできるだけ短く、電子銃の長さは小さく、微放電はない
電子ビーム直径＜1.6 nm小線幅＜7 nm
二重熱制御、超安定直写能力を実現
CABL-UH（130 kV）シリーズ
EBレジストエッチング剤の前方散乱は、高い加速電圧のために小さい。CABL-UHモデルの精度は10 nm未満です。必要に応じて90 kV、110 kVまたは130 kVを選択できます。
光束直径 lt;1.6nm
小線幅：7 nm（130 kV時）
加速電圧：130 kV、110 kVまたは90 kV
ステージサイズ：8インチウェハ（8インチウェハ未満の他の任意のウェハを使用可能）
私の特徴
♦Vacc：130 kV（25-130 kV、5 kVステッピング）
♦EOCサイズを小さくするために130 kVまでの単段加速能力
♦無放電電子銃
♦ビーム径gt ; 1.6 nm
♦細線能力lt ; 7 nm
♦エミッタとアノードとの間の静電レンズは、ブランキング電極の中心に非常に低い収差と近距離交差画像を実現するように設計されている
♦デュアルヒートコントローラを使用した超安定な書き込み能力
仕様
1.電子エミッタ：加速電圧TFE（ZrO/W）Z 25〜130 kV
2.光ビーム直径：小線幅1.6 nm/7.0 nm
3.走査方式ベクトル走査（x，y）（標準）：ベクトル走査（r，6）、ラスタ走査、ポイント走査（オプション）
4.高度なリソグラフィ機能（オプション）フィールドサイズ変調リソグラフィ、軸対称パターンリソグラフィ
5.フィールドサイズ30 pmZ、60 pmZ、120 prr）Z、SOOpmZ、600 pm 3（標準）1200 pmZi、2400 pmZi（オプション）
6.20,000 x20,000ポイント、60000 x 60、OOポイント、96000 x 96、OOポイント、
画素数24，000 x 240，OO点©ベクトル走査（標準）
10000 xl 00000 dot@R 3 Sterスキャン（オプション）
